鳍状结构非常适合电荷撷取MONOS闪存具有的优异电荷保持特性。对汽车应用非常重要的数据保持时间，经过25万次编程/擦除循环后仍可达到十年或更长时间。这一水平与早期内存达到的可靠性水平相同。

　　上述结果表明，通过使用16/14纳米节点和以上的高介电栅极绝缘层和金属栅电极，SG-MONOS闪存可以轻松集成到先进的鳍状结构逻辑制程中，从而在100兆字节(MB)范围内实现大容量芯片存储，同时还能带来高度可靠的MCU，其处理性能可以达到28纳米设备的四倍以上。瑞萨电子将继续确认基于该技术的大容量闪存的操作，并推进研发工作，力争在2023年左右投入实际使用。

　　瑞萨电子秉持对汽车行业不断创新和实现智能社会的承诺，计划继续开发用于28纳米节点、16/14纳米节点及以上嵌入式设备的高性能、高可靠性大容量闪存。

　　瑞萨电子将于12月6日在2016国际电子器件会议(IEDM 2016)上宣布新开发的嵌入式闪存技术的详细信息，该会议将于2016年12月5日至7日在美国旧金山召开。